YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
خانه> محصولات> Semiconductor Plastic Package> Bi Directions Thyristor (Triac)> High current density 16A BT139B-600D Triac
High current density 16A BT139B-600D Triac
High current density 16A BT139B-600D Triac
High current density 16A BT139B-600D Triac
High current density 16A BT139B-600D Triac
High current density 16A BT139B-600D Triac
High current density 16A BT139B-600D Triac
High current density 16A BT139B-600D Triac

High current density 16A BT139B-600D Triac

$0.252000-9999 Piece/Pieces

$0.15≥10000Piece/Pieces

نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Land,Others
بندر:SHANGHAI
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-BT139B-600D

نام تجاریYZPST

Place Of OriginChina

VRRM600V

IT(RMS16A

ITSM140A

I2t98A2S

IGM2A

PG(AV)0.5W

PGM5W

VDRM600V

Packaging & Delivery
فروش واحد : Piece/Pieces
نوع بسته بندی : 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. braid
دانلود :
TRIAC BT139B-600D TO-263
توضیحات محصول

P/N: YZPST-BT139 Series  16A TRIAC

High current density 16A BT139B-600D Triac

Description:
High current density due to mesa technology;Glass Passivation.
Applications
BT139 series triacs is suitable for general purpose AC switching.
They can be used as an ON/OFF Function in applications such
as static relays,heating regulation,induction motor stating circuits...
or for phase contol operation light dimmers,motor speed controllers.
Features:
Blocking voltage to 600 & 800V
On-state RMS current to 16A
Non-repetitive peak on-state current to 140A

YZPST-BT139B-600D TRIAC
Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter Conditions Value Unit
VDRM Repetitive peak off-state voltage     TJ=25℃ 600 & 800      V
VRRM Repetitive peak Reverse voltage TJ=25    600 & 800 V
IT(RMS) RMS on-state current (full sine wave) Tc=99    16 A
Non-repetitive surge peak On-state current (full cycle,Tj=25  tp=20ms 140 A
ITSM A
I2t I2t Value for fusing tp=10ms 98 A2S
IGM Peak gate current 2 A
PG(AV) Average gate power dissipation tp=20µs, TJ=125    0.5 W
PGM Peak gate power dissipation tp=10ms, TJ=125    5 W
TSTG Storage temperature -40               150   
TJ Junction temperature -40               125   


Electrical Characteristics

Symbol Parameter Numerical Unit
VTM IT=15A,tp=380µs    TJ=25 ℃  1.65 V
IDRM VD=VDRM,VR=VRRM TJ=25  5 µA
IRRM VD=VDRM,VR=VRRM TJ=125  1 mA

Package Outline Dimensions

TO-263

TO-263


苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال