YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
خانه> محصولات> Semiconductor Disc Devices(Capsule Type)> Phase Control Thyristor> 2021 year Promotional 6500V thyristor
2021 year Promotional 6500V thyristor
2021 year Promotional 6500V thyristor
2021 year Promotional 6500V thyristor

2021 year Promotional 6500V thyristor

Get Latest Price
نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF,EXW
حمل و نقل:Ocean,Air
بندر:SHANGHAI
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-5STP12K6500

نام تجاریYZPST

توضیحات محصول



HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL 

YZPST-5STP12K6500

HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL APPLICATIONS

6000v THYRISTOR Features: . All Diffused Structure . Spoke Amplifying Gate Configuration 

                                                  . Guaranteed Maximum Turn-Off Time . High dV/dt Capability

                                                  . Pressure Assembled Device


HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500


 Conducting - on state


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)


1200


A

Sinewave,180conduction,Tc=85oC

RMS value of on-state current

ITRMS


1800


A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM


19000


 

 

A


10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180conduction, T= 125 oC

I square t

I2t


12x106


A2s

10.0 msec

Latching current

IL


3


A

V= 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH


350


mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


1.99


V

IT= 3000 A; Duty cycle     0.01%

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt


 

800


A/  s

Switching from VDRM        3000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt


 200


A/  s

Switching from VDRM        3000 V


 Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM


200


W

t= 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)


5


W


Peak gate current

IGM


20


A


Gate current required to trigger all units

IGT


300


mA

V= 6 V;R= 3 ohms;T= +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT


 

3


 

V

 

V= 6 V;R= 3 ohms;T= 25oC

Peak negative voltage

VGRM


20


V



HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500                                                                                                                              * Mounting surfaces smooth, flat and greased


Note :for case outline and dimensions, see case outline drawing in page 3 of this Technical Data

HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500



YZPST-5STP12K6500 6500V thyristor

 
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال