High Voltage Thyristor Control SCR kp1000A 6500V
Get Latest Priceنوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | Shanghai |
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | Shanghai |
مدل شماره: YZPST-KP1000A6500V
نام تجاری: YZPST
Phase Control Thyristors
YZPST-KP1000A6500V
Phase Control Thyristors 6600V is short for thyristor rectifier. It is a kind of high power semiconductor device with four layers of three PN junction, also called thyristor.With the characteristics of small volume, simple structure and strong function, it is one of the most commonly used semiconductor devices.
Symbol |
Definition |
Conditions |
|
min. |
typ. |
max. |
Unit |
V |
max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage |
TJ = 25°C |
|
|
6600 |
V |
|
V |
max. repetitive reverse/forward blocking voltage |
TJ = 25°C |
|
|
6500 |
V |
|
VT |
On-state voltage |
IT=1000 A |
TJ = 25°C |
|
|
2.95 |
V |
IT(AV) |
average forward current |
TC=25°C |
|
|
|
1000 |
A |
IT(RMS) |
RMS forward current |
180° sine |
|
|
|
1140 |
A |
RthJC |
thermal resistance junction to case |
|
|
|
|
22 |
K/KW |
RthCH |
thermal resistance case to heatsink |
|
|
|
|
4 |
K/KW |
ITSM |
max. forward surge current |
t = 10 ms; (50 Hz), sine |
TJ = 25°C |
|
|
9.7 |
kA |
I²t |
value for fusing |
t = 10 ms; (50 Hz), sine |
TJ = 25°C |
|
|
470 |
kA²s |
di/dt |
Rate of rise of on-state current |
TJ = 125°C; f = 50 Hz tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs; IG=0.15A;VD= 2/3VDRM |
repetitive |
|
|
50 |
A/µs |
non-repet |
|
|
1000 |
A/µs |
|||
dv/dt |
Maximum linear rate of rise of off-state voltage |
VD= 2/3 RGK =∞; method 1 (linear voltage rise) |
TJ = 125°C |
|
|
2000 |
V/µs |
VGT |
gate trigger voltage |
VD = 6V |
TJ = 25°C |
|
|
2.6 |
V |
IGT |
gate trigger current |
VD = 6V |
TJ = 25°C |
|
|
400 |
mA |
IL |
latching current |
|
TJ = 25°C |
|
|
500 |
mA |
IH |
holding current |
|
TJ = 25°C |
|
|
900 |
mA |
tgd |
gate controlled delay time |
|
TJ = 25°C |
|
|
3 |
µs |
tq |
Turn-off time |
VR=10 V; IT=20A; VD= 2/3 |
TJ = 150°C |
|
|
600 |
µs |
Tstg |
storage temperature |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
TJ |
virtual junction temperature |
|
|
|
|
125 |
°C |
Wt |
Weight |
|
|
|
|
|
g |
F |
mounting force |
|
|
14 |
22 |
24 |
kN |
Outline Drawing
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.