Highly sensitive triggering levels X0405 SCR
$0.11≥1000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حداقل سفارش: | 1000 Piece/Pieces |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | Shanghai |
$0.11≥1000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حداقل سفارش: | 1000 Piece/Pieces |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | Shanghai |
مدل شماره: YZPST-X0405
نام تجاری: YZPST
IT(RMS): 4.0A
VDRM VRRM: 600V
IGT: 200µA
Tstg: -40 ~150℃
TJ: -40~125℃
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. Plastic protective packaging |
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
YZPST-X0405
DESCRIPTION:
Thanks to highly sensitive triggering levels, the
X0405 SCR series is suitable for all applications
where the available gate current is limited, such as
ground fault circuit interruptors, overvoltage
crowbar protection in low power supplies,
capacitive ignition circuits, ...
MAIN FEATURES
Symbol |
Value |
Unit |
IT(RMS) |
4.0 |
A |
VDRM VRRM |
600 |
V |
IGT |
200 |
µA |
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Storage junctiontemperature range |
Tstg |
-40 ~150 |
℃ |
Operating junction temperature range |
Tj |
-40~125 |
℃ |
Repetitive peak off-state voltage (T =25℃) |
VDRM |
600 |
V |
Repetitive peak reverse voltage (T =25℃) |
VRRM |
600 |
V |
Non repetitive surge peak Off-state voltage |
VDSM |
VDRM +100 |
V |
Non repetitive peak reverse voltage |
VRSM |
VRRM +100 |
V |
RMS on-state current (T =60℃) |
IT(RMS) |
4.0 |
A |
Non repetitive surge peak on-state current (180° conduction angle, F=50Hz) |
ITSM |
30 |
A |
Average on-state current (180° conduction angle) |
IT(AV) |
2.5 |
A |
I2t value for fusing (tp=10ms) |
I2t |
4.5 |
A2S |
Critical rate of rise of on-state current (I =2×IGT, tr ≤ 100 ns) |
dI/dt |
50 |
A/μS |
Peak gate current |
IGM |
1.2 |
A |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
0.2 |
W |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃unless otherwise specified)
Symbol |
Test Condition |
|
Value |
Unit |
IGT |
V =12V R =140Ω |
MAX. |
200 |
µA |
VGT |
MAX. |
0.8 |
V |
|
VGD |
VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ |
MIN. |
0.1 |
V |
IL |
IG=1.2IGT |
MAX. |
6 |
mA |
IH |
IT=50mA |
MAX. |
5 |
mA |
dV/dt |
VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃ |
MIN. |
15 |
V/μs |
STATIC CHARACTERISTICS
Symbol |
Parameter |
Value(MAX.) |
Unit |
|
VTM |
ITM =8.0A tp=380μs |
Tj =25℃ |
1.8 |
V |
IDRM |
VD=VDRM VR=VRRM
|
Tj =25℃ |
5 |
μA |
IRRM |
Tj =125℃ |
1 |
mA |
Thermal Resistances
Symbol |
Parameter |
Value(MAX.) |
Unit |
Rth(j-a) |
junction to ambient |
60 |
℃/W |
Rth(j-t) |
Junction to tab (DC) |
20 |
Ordering information scheme
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.