Rf power transistor TO-3 npn silicon transistor
Get Latest Priceنوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | SHANGHAI |
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-2N6576
نام تجاری: YZPST
NPN Silicon Power Darlington Transistors
YZPST-2N6576
Transistors of FEATURES: 1.High Gain Darlington Performance 2. Built-in Diode Protection for Reverse Polarity Protection
3. Can Be Driven from Low-Level Logic 4. Popular Voltage Range
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 OC)
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Collector-Base Voltage |
VCBO |
60 |
V |
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
60 |
V |
Emitter-Base Voltage |
VEBO |
6.0 |
V |
Collector Current |
IC |
15 |
A |
Base Current |
IB |
0.5 |
A |
Total Dissipation at |
Ptot |
120 |
W |
Max. Operating Junction Temperature |
Tj |
120 |
oC |
Storage Temperature |
Tstg |
-55~150 |
oC |
Parameter |
Symbol |
Test Conditions |
Min. |
Typ. |
Max. |
Unit |
Collector Cut-off Current |
ICEO |
VCE = 60V, IB = 0 |
- |
- |
1.0 |
mA |
Collector Cut-off Current |
ICBO |
VCB = 60V, IE = 0 |
- |
- |
0.5 |
mA |
Emitter Cut-off Current |
IEBO |
VEB = 5.0V, IC = 0 |
- |
- |
2.0 |
mA |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
VCEO |
IC = 30mA, IB = 0 |
60 |
- |
- |
V |
DC Current Gain |
hFE(1) |
VCE = 3.0V, IC = 4.0A |
2000 |
- |
- |
|
hFE(2) |
VCE = 3.0V, IC = 10A |
500 |
- |
- |
||
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
IC = 10A, IB = 100mA |
- |
- |
2.5 |
V |
IC = 15A, IB = 150mA |
- |
- |
4.0 |
|||
Base-Emitter Saturation Voltage |
VBE(sat) |
IC = 10A, IB = 100mA |
- |
- |
3.5 |
V |
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.