TO-94 Ceramic stud triacs 100A
$26≥100Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حداقل سفارش: | 100 Piece/Pieces |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | Shanghai |
$26≥100Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حداقل سفارش: | 100 Piece/Pieces |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | Shanghai |
مدل شماره: YZPST-KS100A600V
نام تجاری: YZPST
Certification: RoHS
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | For more detailed product information and transaction information, please contact our email address : info@yzpst.com |
Ceramic stud triacs YZPST-KS100A600V
Maximum Ratings And Characteristics
Symbol
Parameter
Values
Units
Test Conditions
ON-STATE
ITAV
Mean on-state
current
-
A
Sinewave,180° conduction,Tc=100°C
ITRMS
RMS value of on-state current
100
A
Nominal value
ITSM
Peak one cycle surge
(non repetitive) current
900
A
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 °C
I2t
I square t
4050
A2s
8.3 msec and
10.0 msec
IL
Latching current
100
mA
VD = 12 V; RL= 12
ohms
IH
Holding current
30
mA
VD = 12 V; I = 1 A
VTM
Peak on-state voltage
2.0
V
ITM = 150 A; Duty cycle ≤ 0.01%; Tj = 25 °C
di/dt
Critical rate
of rise of on-state current
non-repetitive
300
A/µs
Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax,
anode voltage≤80% VDRM
repetitive
50
BLOCKING
VDRM
VRRM
Repetitive peak off
state voltage
Repetitive peak reverse voltage
600
V
VDSM
VRSM
Non repetitive peak off state voltage
Non repetitive
peak reverse voltage
700
V
IDRM
IRRM
Repetitive peak off state current
Repetitive peak reverse current
10
mA
Tj = 125 °C ,VRRM VDRM applied
dV/dt
Critical rate
of voltage rise
100
V/µs
TJ=TJmax, linear to
80% rated VDRM
TRIGGEING
PG(AV)
Average gate
power dissipation
-
W
PGM
Peak gate power dissipation
-
W
IGM
Peak gate current
-
A
IGT
Gate trigger current
200
mA
TC = 25 °C
VGT
Gate trigger voltage
3.0
V
TC = 25 °C
VT(T0)
Treshold voltage
1
V
rT
Slope resistance
2.4
mΩ
VGD
Gate
non-trigger voltage
0.2
V
Tj = 125 °C
SWITCHING
tq
Turn-off time
-
µs
Tj = 125 °C
td
Delay time
-
Gate
current 1A, di/dt=1A/μs,
Vd=0.67%VDRM, TJ=25 °C
Qrr
Reverse recovery charge
-
Thermal And Mechanical
Symbol
Parameter
Values
Units
Test Conditions
Tj
Operating temperature
-40~125
°C
Tstg
Storage temperature
-40~150
°C
R th (j-c)
Thermal resistance - junction to
case
0.4
°C/W
DC operation ,Single sided
cooled
R th (c-s)
Thermal resistance - case to sink
0.08
°C/W
Single sided cooled
P
Mounting force
-
Nm
W
Weight
-
g
about
OUTLINE
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.