NPN silicon power transistors 13005D
$0.122000-9999 Piece/Pieces
$0.08≥10000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | SHANGHAI |
$0.122000-9999 Piece/Pieces
$0.08≥10000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-13005D
نام تجاری: YZPST
VCBO: 700V
VCEO: 400V
VEBO: 9V
IC: 3A
Icm: 6A
PTOT: 75W
Tj: 150℃
Tstg: -55—150℃
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. Plastic protective packaging |
دانلود | : |
NPN SILICON POWER TRANSISTORS 13005D
●DESRCRIPTION:
The 13005D is an NPN transistor used in electronic ballasts and electronic energy saving -lamps. It has the characteristics of low switching loss, high reliability, good high temperature characteristics, suitable switching speed, high breakdown voltage and low reverse leakage.
●ABSOLUTE MAX I MUM RATINGS
Symbol |
Parameter |
Value |
Unit |
|
VCBO |
Collector-Base Voltage |
700 |
V |
|
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
400 |
V |
|
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
9 |
V |
|
IC |
Continuous Collector Current |
3 |
A |
|
Icm |
Collector Pulse Current(Tp<5ms) |
6 |
A |
|
PTOT |
Total dissipation at Tcase=25 ℃ |
TO-126SD |
50 |
W |
TO-220 |
75 |
|||
Tj |
Junction Temperature |
150 |
℃ |
|
Tstg |
Storage Temperature Range |
-55—150 |
℃ |
Symbol |
Parameter |
Test Condition |
Value |
Unit |
||
Min |
Type |
Max |
||||
ICBO |
Collector Cutoff Current |
VCB= 700 V,IE=0 |
|
|
0.1 |
mA |
ICEO |
Base Cutoff Current |
VCE= 400 V,Ic=0 |
|
|
0.1 |
mA |
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= 9 V,IC=0 |
|
|
0.1 |
mA |
VCBO |
Collector-Base Breakdown Voltage |
IC= 0.1mA |
700 |
|
|
V |
VCEO |
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
IC= 0.1mA |
400 |
|
|
V |
VEBO |
Emitter-Base Breakdown Voltage |
IB= 0.1mA |
9 |
|
|
V |
hFE |
DC Current Gain |
IC= 0.5A,VCE= 5V |
15 |
|
35 |
|
a VCE sat |
Collector-Base Breakdown Voltage |
IC= 2A,IB= 0.5A |
|
|
1 |
V |
a VBE sat |
Base-Emitter Saturation Voltage |
IC= 2A,IB= 0.5A |
|
|
1.5 |
V |
ts |
Storage Time |
UI9600,Ic=0.5A |
2 |
|
7 |
us |
fT |
Transition Frequency |
VCE=10V,IC=0.2A F=1MHz |
5 |
|
|
MHz |
a:Pulse Test,tp ≤300us,δ≤2% |
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.