High thermal cycling performance BT145-800R TO-220 SCR
$0.135000-19999 Piece/Pieces
$20000≥20000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Express,Others |
بندر: | SHANGHAI |
$0.135000-19999 Piece/Pieces
$20000≥20000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Express,Others |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-BT145-800R
نام تجاری: YZPST
Place Of Origin: China
VRRM: 800V
IT(RMS): 25A
ITSM: 300A
I2t: 450A2s
D IT/dt: 200A/μs
IGM: 5A
VRGM: 5V
PGM: 20W
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. braid |
دانلود | : |
High junction operating temperature capability (Tj(max) = 150 °C)
Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Absolute maximum rating
VRRM
repetitive peak reverse voltage
-
-
800
V
IT(RMS)
RMS on-state current
half sine wave; Tmb ≤ 128 °C;
-
-
25
A
Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3
ITSM
non-repetitive peak on- state current
half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5
-
-
300
A
half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms
-
-
330
A
Tj
junction temperature
-
-
150
°C
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD = 12 V; IT = 0.1 A; Tj = 25 °C; Fig. 7
1.5
-
15
mA
IH
holding current
VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9
-
-
60
mA
VT
on-state voltage
IT = 30 A; Tj = 25 °C; Fig. 10
-
1.1
1.5
V
Dynamic characteristics
dVD/dt
rate of rise of off-state voltage
VDM = 536 V; Tj = 150 °C; (VDM = 67% of VDRM); exponential waveform; gate open circuit
80
-
-
V/μs
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol | Parameter | Conditions | Min | Max | Unit | |
VDRM | repetitive peak off-state voltage | - | 800 | V | ||
VRRM | repetitive peak reverse voltage | - | 800 | V | ||
IT(AV) | average on-state current | half sine wave; Tmb ≤ 128°C; | - | 16 | A | |
IT(RMS) | RMS on-state current | half sine wave; Tmb ≤ 128°C; Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3 | - | 25 | A |
ITSM | non-repetitive peak on- state current | half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms; Fig. 4; Fig. 5 | - | 300 | A | |
half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms | - | 330 | A | |||
I2t | I2t for fusing | tp = 10 ms; SIN | - | 450 | A2s | |
d IT/dt | rate of rise of on-state current | IG = 20 mA | - | 200 | A/μs | |
IGM | peak gate current | - | 5 | A | ||
VRGM | peak reverse gate | - | 5 | V | ||
voltage | ||||||
PGM | peak gate power | - | 20 | W | ||
PG(AV) | average gate power | over any 20 ms period | - | 0.5 | W | |
Tstg | storage temperature | -40 | 150 | °C | ||
Tj | junction temperature | - | 150 | °C |
Thermal Characteristics
Symbol | Parameter | Conditions | Min | Typ | Max | Unit | |
Rth(j-mb) | thermal resistance | Fig. 6 | - | - | 1 | K/W | |
from junction to | |||||||
mounting base | |||||||
Rth(j-a) | thermal resistance | in free air | - | 60 | - | K/W | |
from junction to | |||||||
ambient free air |
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.