YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
خانه> محصولات> Semiconductor Plastic Package> Silicon Transistor> SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN
SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN
SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN
SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN
SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN
SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN
SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN

SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN

$9.550-499 Others

$8≥500Others

نوع پرداخت:L/C,T/T,Paypal
اینکوترم:FOB,CFR,CIF
حمل و نقل:Ocean,Land
بندر:SHANGHAI
ویژگی های محصول

مدل شمارهYZPST-SS8550

نام تجاریYZPST

Place Of OriginChina

PackageTO-92

VCBO-40V

VCEO-25V

VEBO-5V

IC-1.5A

PD1000mW

R θ JA125℃ / W

TJ,Tstg-55 -+150℃

Packaging & Delivery
فروش واحد : K pcs
نوع بسته بندی : 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. braid
دانلود :
Transistor PNP SS8550 TO92
توضیحات محصول
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
YZPST-SS8550 TRANSISTOR (PNP)
FEATUREs
 Power dissipation

              PC :1W  (Ta=25 ℃)

TO-92


ORDERINGINFORMATION

PartNumber

Package

PackingMethod

PackQuantity

SS8550

TO-92

Bulk

1000pcs/Bag

SS8550-TA

T0-92

Tape

2000pcs/Box

MAX1MUMRAT1NGs(Ta=25 unlessotherwise noted)

symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

-40

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-25

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Collector Current -Continuous

- 1.5

A

PD

Collector Power Dissipation

1000

mW

R θ JA

Thermal Resistance f rom Junction to Ambient

125

/ W

TJ,Tstg

Operation Junction  and Storage Temperature Range

-55 -150

Ta=25 unless otherwise specified

Parameter symbol Test Min Typ Max Unit
 
 
 conditions
Collector.base V(BR)CBO IC=- 100uA, IE=0 -40 V
breakdown
voltage
Collector.emitter V(BR)CEO IC=-0. 1mA, IB=0 -25 V
breakdown voltage
Emitter.base V(BR)EBO IE=- 100uA, IC=0 -5 V
breakdown
voltage
Collector ICBO VCB=-40V, IE=0 -0. 1 uA
cut.off
current
Emitter ICEO VCE=-20V, IE=0 -0. 1 uA
cut.off
current
Emitter IEBO VEB=-5V, IC=0 -0. 1 uA
cut.off
current
DC hFE(1) VCE=- 1V, IC=- 100mA 85 400
current
gain hFE(2) VCE=- 1V, IC=-800mA 40
Collector.emitter VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA -0.5 V
saturation
voltage
Base.emitter VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA -1.2 V
saturation voltage
Base.emitter VBE(on) VCE=- 1V, IC=- 10mA -1 V
voltage
out Cob VCB=- 10V, IE=0mA,f=1MHZ 20 pF
capacitance
Transition fT VCE=- 10V, IC=-50mA,f=30MHZ 100 MHz
frequency

To.92 PackageoutlineDimensions

Outline Dimensions



خانه> محصولات> Semiconductor Plastic Package> Silicon Transistor> SS8550 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors NPN
苏ICP备05018286号-1
ارسال پرس و جو
*
*

ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت

اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد

بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.

ارسال