The MJD31C is Silicon NPN power transistors TO-252
$0.086000-19999 Piece/Pieces
$0.06≥20000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Others |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-MJD31C
نام تجاری: YZPST
Place Of Origin: China
VCBO: 100V
VCEO: 100V
VEBO: 5V
IC: 3A
ICM: 5A
IB: 1A
PTOT: 15W
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. braid |
دانلود | : |
The MJD31C is Silicon NPN power transistors ,designed for medium power linear switching applications.
ABSOLUTE MAX I MUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
100
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
100
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5
V
IC
Continuous Collector Current
3
A
ICM
Collector current-Pulse
5
A
IB
Base Current
1
A
PTOT
Total dissipation at Tcase=25 ℃
15
W
Tj
Junction Temperature
150
℃
Tstg
Storage Temperature Range
-55〜 150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C, unless otherwise specified)
Symbol |
Parameter |
Test Condition |
Value |
Unit |
||
Min |
Type |
Max |
||||
ICEO |
Collector Cutoff Current |
VCE= 60 V |
|
|
0.3 |
mA |
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= 5 V |
|
|
1 |
mA |
VCEO(SUS) |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC= 30mA |
100 |
|
|
V |
VCEsat |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC=3A IB=0.375A |
|
|
1.2 |
V |
VBE |
Base-Emitter On Voltage |
IC=3A ; VCE=4V |
|
|
1.8 |
V |
hFE- 1 |
DC current gain |
IC= 1A ; VCE=4V |
25 |
|
|
|
hFE-2 |
DC current gain |
IC=3A ; VCE=4V |
10 |
|
50 |
|
fT |
Transiton frequency |
IC=0.5A ; VCE= 10V |
3 |
|
|
MHz |
PACKAGE MECHANICAL DATA
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.