TO-126 BD140-16 is silicon epitaxial planar PNP transistors complementary NPN types are the BD139-16
$0.0310000-99999 Piece/Pieces
$0.02≥100000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Others |
بندر: | SHANGHAI |
$0.0310000-99999 Piece/Pieces
$0.02≥100000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Others |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-BD140-16
نام تجاری: YZPST
Application: Microphone, Not Applicable
Supply Type: Original Manufacturer, Odm, Other
Reference Materials: Datasheet, Photo, Other
Package Type: Surface Mount
Installation Method: Through Hole, Not Applicable
FET Function: Not Applicable
Configuration: Not Applicable
VCBO: -80V
VCEO: -80V
VEBO: -5V
IC: -1.5A
IB: -0.5A
Ptot: 12.5W
Tj: 150℃
Tstg: -55~150℃
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. braid |
دانلود | : |
PNP SILICON TRANSISTOR
YZPST-BD140-16
TO-126 BD140-16 is silicon epitaxial planar PNP transistors complementary NPN types are the BD139-16
DESCRIPTION
The BD140-16 is silicon epitaxial planar PNP transistors
in Jedec TO-126 plastic package, designed for audio
amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi
compementary circuits.
The complementary NPN types are the BD139-16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 OC)
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Collector-Base Voltage |
VCBO |
-80 |
V |
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
-80 |
V |
Emitter-Base Voltage |
VEBO |
-5.0 |
V |
Collector Current |
IC |
-1.5 |
A |
Base Current |
IB |
-0.5 |
A |
Total Dissipation at |
Ptot |
12.5 |
W |
Max. Operating Junction Temperature |
Tj |
150 |
oC |
Storage Temperature |
Tstg |
-55~150 |
oC |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 OC)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = -80V, IE = 0
-10
μA
—
—
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = -5.0V, IC = 0
-10
μA
VCEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC = -1.0mA, IB = 0
-80
—
—
V
VCE = -2.0V, IC = -0.15A
100
250
DC Current Gain
hFE
VCE = -2.0V, IC = -0.5A
100
—
—
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = -0.5A, IB = -0.05A
-0.5
V
VBE
Base-Emitter Voltage
IC = -0.5A, VCE = -2.0V
-1
V
fT
Transition Frequency
VCE = -5.0V,IC = -50mA
80
MHz
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.