High Power Fast Recovery Diode
Get Latest Priceنوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | SHANGHAI |
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Air |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-SD233N/R
نام تجاری: YZPST
High Power FAST Recovery Diode
FAST RECOVERY DIODES, Stud Version
Features: High power FAST recovery diode series, 1.0 to 2.0 μs recovery time, High voltage ratings up to 5000V, High current capability, Optimized turn on and turn off characteristics, Low forward recovery, Fast and soft reverse recover, Compression bonded encapsulation, Stud version B-8, Maximum junction temperature 125°C
Typical Applications: Snubber diode for GTO, Fast recovery, rectifier applications
Forward Conduction
Parameters |
PSTSD233N/R |
Units |
Conditions |
||
IF(AV Max. average forward current
@ Case temperature |
250 |
A |
180° conduction, half sine wave |
||
60 |
°C |
||||
IF(RMX) Max. RMS forward current |
390 |
A |
|
|
|
IFSM Max. peak, one-cycle forward
non-repetitive surge current |
5500 |
A |
t = 10ms |
No voltage
reapplied |
Initial TJ =TJmax. |
5760 |
A |
t = 8.3ms |
|||
I2t Maximum I2t for fusing |
150000 |
A2s |
t = 10ms |
No voltage
reapplied |
|
140000 |
A2s |
t = 8.3ms |
|||
I2√t Maximum I2√t for fusing |
1500000 |
KA2√s |
I2t for time tx = I2√t x √tx ;
0.1 ≤ tx ≤ 10ms, VRRM = 0V |
||
VFM Maximum forward voltage drop |
3.0 |
V |
TJ = 25 oC, IFM = 1200 (arm) |
||
IRRM Max. DC reverse current |
10.0 |
μA |
TJ = 25 oC, per diode at VRRM |
||
Trr |
5 |
μs |
|
Outlines Table
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.