$2950-499 Piece/Pieces
$19.5≥500Piece/Pieces
| نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
| اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
| حمل و نقل: | Ocean,Land |
| بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-G100HF120D1
Place Of Origin: China
VCES: 1200V
VGES: ±30V
IC TC = 25°C: 200A
IC TC = 100°C: 100A
ICM: 200A
PD: 430W
Tsc: > 10us
TJ: 150°C
| فروش واحد | : | Piece/Pieces |
| نوع بسته بندی | : | 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. braid |
| دانلود | : |
|
UPS Systems
Absolute Maximum Ratings of IGBT
VCES
Collector to Emitter Voltage
1200
V
VGES
Continuous Gate to Emitter Voltage
±30
V
TC = 25°C
200
IC
Continuous Collector Current
TC = 100°C
100
A
ICM
Pulse Collector Current
TJ = 150°C
200
A
PD
Maximum Power Dissipation (IGBT)
TC = 25°C,
430
W
tsc
> 10
µs
Short Circuit Withstand Time
Maximum IGBT Junction Temperature
150
°C
TJ
TJOP
Maximum Operating Junction Temperature Range
-40 to +150
°C
Tstg
Storage Temperature Range
-40 to +125
°C
VRRM
Repetitive Peak Reverse Voltage Preliminary Data
1200
V
TC = 25°C
200
IF
Diode Continuous Forward Current
TC = 100°C
100
A
IFM
Diode Maximum Forward Current
200
A
Absolute Maximum Ratings of Freewheeling Diode
| VRRM | Repetitive Peak Reverse Voltage Preliminary Data | 1200 | V | |
| TC = 25°C | 200 | |||
| IF | Diode Continuous Forward Current | TC = 100°C | 100 | A |
| IFM | Diode Maximum Forward Current | 200 | A | |
Switching Characteristics of IGBT
| td(on) | TJ = 25°C | 30 | |||||
| Turn-on Delay Time | ns | ||||||
| TJ = 125°C | 35 | ||||||
| TJ = 25°C | 50 | ||||||
| tr | Turn-on Rise Time | TJ = 125°C | 55 | ns | |||
| TJ = 25°C | 380 | ||||||
| td(off) | Turn-off Delay Time | TJ = 125°C | 390 | ns | |||
| TJ = 25°C | 110 | ||||||
| tf | Turn-off Fall Time | TJ = 125°C | 160 | ns | |||
| VCC = 600V | TJ = 25°C | 4.6 | |||||
| Eon | Turn-on Switching Loss | IC = 100A | TJ = 125°C | 5.7 | mJ | ||
| RG = 5.6Ω | TJ = 25°C | 3.1 | |||||
| Eoff | Turn-off Switching Loss | VGE = ±15V | TJ = 125°C | 5.1 | mJ | ||
| Qg | Total Gate Charge | Inductive Load | TJ = 25°C | 870 | nC | ||
| Rgint | Integrated gate resistor | f = 1M; | TJ = 25°C | 1.9 | Ω | ||
| Vpp = 1V | |||||||
| Cies | Input Capacitance | TJ = 25°C | 8 | ||||
| VCE = 25V | |||||||
| Coes | Output Capacitance | VGE = 0V | TJ = 25°C | 1.35 | nF | ||
| Cres | Reverse Transfer | f = 1MHz | TJ = 25°C | 0.81 | |||
| Capacitance | |||||||
| RθJC | Thermal Resistance, Junction-to-Case (IGBT) | 0.29 | °C/W | ||||
Package Dimension
تلفن: 86-514-87782298
Whatsapp: +8613805278321
نشانی: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
سایت اینترنتی: https://www.yzpst.com
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
Contact Now