Fast switching and short tail current 1200V 900A IGBT Module
$1655-49 Piece/Pieces
$135≥50Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land |
بندر: | SHANGHAI |
$1655-49 Piece/Pieces
$135≥50Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-G900WB120B6TC
نام تجاری: YZPST
Place Of Origin: China
VCES: 1200V
VGES: ±20V
IC TC=25℃: 880A
IC TC=95℃: 900A
ICM: 1200A
Ptot: 3125W
IF(AV): 900A
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. braid |
مثال تصویر | : | |
دانلود | : |
1200V 900A IGBT Module
P/N: YZPST-G900WB120B6TC
PRODUCT FEATURES
IGBT CHIP(Trench+FS)
Low saturation voltage and positive temperature coefficient
Fast switching and short tail current
Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery
Temperature sense included
APPLICATIONSAC motor control
Motion/servo control
Inverter and power supplies
Photovoltaic/Fuel cell
IGBT-ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TC =25°C unless otherwise specified)
Symbol | Parameter/Test Conditions | Values | Unit | |
VCES | Collector Emitter Voltage | TJ=25℃ | 1200 | V |
VGES | Gate Emitter Voltage | ±20 | ||
IC | DC Collector Current | TC=25℃, TJmax =175℃ | 880 | |
TC=95℃, TJmax =175℃ | 900 | A | ||
ICM | Repetitive Peak Collector Current | tp=1ms | 1200 | |
Ptot | Power Dissipation Per IGBT | TC=25℃, TJmax =175℃ | 3125 | W |
Diode-ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( TC =25°C unless otherwise specified)
Symbol | Parameter/Test Conditions | Values | Unit | |
VRRM | Repetitive Reverse Voltage | TJ=25℃ | 1200 | V |
IF(AV) | Average Forward Current | 900 | A | |
IFRM | Repetitive Peak Forward Current | tp=1ms | 1200 | |
I2t | TJ =150℃, t=10ms, VR=0V | 45 | kA2s |
IGBT-inverter
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC =25°C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter/Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VGE(th)
Gate Emitter Threshold Voltage
VCE=VGE , IC=24mA
5
5.8
6.5
Collector Emitter
IC=900A, VGE=15V, TJ=25℃
1.9
2.3
VCE(sat)
Saturation Voltage
IC=900A, VGE=15V, TJ=125℃
2.2
V
IC=900A, VGE=15V, TJ=150℃
2.25
ICES
Collector Leakage Current
VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25℃
1
mA
VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150℃
10
IGES
Gate Leakage Current
VCE=0V,VGE=±20V, TJ=25℃
-400
400
nA
RGint
Integrated Gate Resistor
0.7
Ω
Qg
Gate Charge
VCE=900V, IC=900A , VGE=15V
3.1
µC
Cies
Input Capacitance
VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz
43.2
nF
Cres
Reverse Transfer Capacitance
2.07
nF
td(on)
Turn on Delay Time
VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω ,
TJ=25℃
100
ns
VGE=±15V,
TJ=150℃
110
ns
tr
Rise Time
Inductive Load
TJ=25℃
85
ns
TJ=150℃
95
ns
td(off)
Turn off Delay Time
VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω ,
TJ=25℃
530
ns
VGE=±15V,
TJ=150℃
580
ns
tf
Fall Time
Inductive Load
TJ=25℃
65
ns
TJ=150℃
215
ns
TJ=25℃
55
mJ
Eon
Turn on Energy
TJ=125℃
85
mJ
VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω ,
TJ=150℃
95
mJ
VGE=±15V,
TJ=25℃
45
mJ
Eoff
Turn off Energy
Inductive Load
TJ=125℃
58
mJ
TJ=150℃
63
mJ
ISC
Short Circuit Current
tpsc≤10µs , VGE=15V
2200
A
TJ=150℃,VCC=800V
RthJC
Junction to Case Thermal Resistance (Per IGBT)
0.048
K /W
Package Outline
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.