High Blocking Voltage M1A080120L1 TO-247-4 N-Channel SiC Power MOSFET
$4.5200-999 Piece/Pieces
$4.2≥1000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | CFR,FOB,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Express,Others,Air |
بندر: | SHANGHAI |
$4.5200-999 Piece/Pieces
$4.2≥1000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | L/C,T/T,Paypal |
اینکوترم: | CFR,FOB,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land,Express,Others,Air |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-M1A080120L1
نام تجاری: YZPST
Place Of Origin: China
VDSmax: 1200V
VGSmax: -10/+25V
VGSop: -5/+20V
ID Tc=25℃: 36A
ID Tc=100℃: 24A
ID(pulse): 80A
PD: 192W
TJ, TSTG: -55 to +150℃
فروش واحد | : | Piece/Pieces |
نوع بسته بندی | : | 1. Anti-electrostatic packaging 2. Carton box 3. braid |
مثال تصویر | : | |
دانلود | : |
Pulsed Power applications
Part Number
Package
M1A080120 L1
TO-247-4
Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified)
Electrical Characteristics (TC=25℃ unless otherwise specified)
Reverse Diode Characteristics
Package Dimensions
Package TO-247-4
Symbol
Parameter
Value
Unit
Test Conditions
Note
VDSmax
Drain-Source Voltage
1200
V
VGS=0V, ID=100μA
VGSmax
Gate-Source Voltage
-0.4
V
Absolute maximum values
VGSop
Gate-Source Voltage
-0.25
V
Recommended operational values
ID
Continuous Drain Current
36
A
VGS=20V, Tc=25℃
24
VGS=20V, Tc=100℃
ID(pulse)
Pulsed Drain Current
80
A
Pulse width tp limited by TJmax
PD
Power Dissipation
192
W
Tc=25℃, TJ=150℃
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature
-55 to +150
℃
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
V(BR)DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
1200
/
/
V
VGS=0V, ID=100μA
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
2
2.4
4
V
VDS=VGS, ID=5mA
Fig. 11
/
1.8
/
VDS=VGS, ID=5mA, TJ=150℃
IDSS
Zero Gate Voltage Drain Current
/
1
100
µA
VDS=1200V, VGS=0V
IGSS+
Gate-Source Leakage Current
/
10
250
nA
VDS=0V, VGS=25V
IGSS-
Gate-Source Leakage Current
/
10
250
nA
VDS=0V, VGS=-10V
RDS(on)
Drain-Source On-State Resistance
/
80
98
mΩ
VGS=20V, ID=20A
Fig.
/
140
/
VGS=20V, ID=20A, TJ=150℃
4,5,6
Ciss
Input Capacitance
/
1475
/
VGS=0V
Fig.
Coss
Output Capacitance
/
94
/
pF
VDS=1000V
15,16
Crss
Reverse Transfer Capacitance
/
11
/
f=1MHz
Eoss
Coss Stored Energy
/
52
/
µJ
VAC=25mV
EON
Turn-On Switching Energy
/
564
/
µJ
VDS=800V, VGS=-5V/20V
EOFF
Turn-Off Switching Energy
/
260
/
ID=20A, RG(ext)=2.5Ω, L=200μH
td(on)
Turn-On Delay Time
/
9.3
/
tr
Rise Time
/
9.5
/
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=20A RG(ext)=2.5Ω, RL=40Ω
td(off)
Turn-Off Delay Time
/
18
/
ns
tf
Fall Time
/
7.6
/
RG(int)
Internal Gate Resistance
/
3.1
/
Ω
f=1MHz, VAC=25mV
QGS
Gate to Source Charge
/
24
/
VDS=800V
QGD
Gate to Drain Charge
/
15
/
nC
VGS=-5V/20V
QG
Total Gate Charge
/
79
/
ID=20A
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VSD
Diode Forward Voltage
3.6
/
V
VGS=-5V, ISD=10A
Fig. 8,9,10
3.3
/
VGS=-5V, ISD=10A, TJ=150℃
IS
Continuous Diode Forward Current
/
44
A
TC=25℃
trr
Reverse Recover Time
35
/
ns
Qrr
Reverse Recovery Charge
91
/
nC
VR=800V, ISD=20A
Irrm
Peak Reverse Recovery Current
4.5
/
A
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.