BD139-16 NPN silicon transistor complementary BD140-16
$0.0320000-59999 Piece/Pieces
$0.02≥60000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land |
بندر: | SHANGHAI |
$0.0320000-59999 Piece/Pieces
$0.02≥60000Piece/Pieces
نوع پرداخت: | T/T,Paypal |
اینکوترم: | FOB,CFR,CIF |
حمل و نقل: | Ocean,Land |
بندر: | SHANGHAI |
مدل شماره: YZPST-BD139-16
نام تجاری: YZPST
Place Of Origin: China
VCBO: 80V
VCEO: 80V
VEBO: 5.0V
IC: 1.5A
IB: 0.5A
Ptot: 12.5W
Tj: 150℃
Tstg: -55~150℃
NPN SILICON TRANSISTOR P/N:YZPST-BD139-16
BD139-16 NPN silicon transistor complementary PNP types are the BD140-16
The complementary PNP types are the BD140-16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 OC)
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
Collector-Base Voltage |
VCBO |
80 |
V |
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
80 |
V |
Emitter-Base Voltage |
VEBO |
5.0 |
V |
Collector Current |
IC |
1.5 |
A |
Base Current |
IB |
0.5 |
A |
Total Dissipation at |
Ptot |
12.5 |
W |
Max. Operating Junction Temperature |
Tj |
150 |
oC |
Storage Temperature |
Tstg |
-55~150 |
oC |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 OC)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 80V, IE = 0
10
μA
—
—
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB = 5.0V, IC = 0
10
μA
VCEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC = 1.0mA, IB = 0
80
—
—
V
VCE = 2.0V, IC = 0.15A
100
250
DC Current Gain
hFE
VCE = 2.0V, IC = 0.5A
100
—
—
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 0.5A, IB = 0.05A
0.5
V
VBE
Base-Emitter Voltage
IC = 0.5A, VCE = 2.0V
1
V
fT
Transition Frequency
VCE = 5V,IC = 50mA
80
MHz
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.
اطلاعات بیشتری را پر کنید تا بتواند سریعتر با شما در تماس باشد
بیانیه حفظ حریم خصوصی: حریم خصوصی شما برای ما بسیار مهم است. شرکت ما قول می دهد که اطلاعات شخصی شما را برای هرگونه مجوزهای صریح خود برای هرگونه گسترش فاش نکند.